深圳市惠锋电子商行

　　1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。

　　1.2 C-V特性

　　鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（*偏压）C≈n+pf左右。

　　C-V特性呈二次函数关系

　　1.3 *大允许功耗PF m

　　当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IF

　　LED工作时，外加偏压、偏流*促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = KT（Tj – Ta）。